5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKUF132-06DP | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 130000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 E |
|
| IRKUF132-06EL | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|600V V(RRM)|130A I(T) |
|
| IRKUF132-06EM | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRKUF132-06EMN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKUF132-06EP | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|600V V(RRM)|130A I(T) |
|
| IRKUF132-06EPN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKUF132-06FL | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 130000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 E |
|
| IRKUF132-06FLN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKUF132-06FM | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 130000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 E |
|
| IRKUF132-06FMN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
