5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKUF112-06FPN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175.84A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKUF112-06GK | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|600V V(RRM)|112A I(T) |
|
| IRKUF112-06GL | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|600V V(RRM)|112A I(T) |
|
| IRKUF112-06GM | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|600V V(RRM)|112A I(T) |
|
| IRKUF112-06GN | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|600V V(RRM)|112A I(T) |
|
| IRKUF112-06GP | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|600V V(RRM)|112A I(T) |
|
| IRKUF112-06HK | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175.84A I(T)RMS, 112000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 |
|
| IRKUF112-06HKN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175.84A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKUF112-06HL | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175.84A I(T)RMS, 112000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 |
|
| IRKUF112-06HLN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175.84A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
