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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKUF102-10DKN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element |
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| IRKUF102-10DP | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), |
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| IRKUF102-10DPN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element |
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| IRKUF102-10EJ | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), |
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| IRKUF102-10EJN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element |
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| IRKUF102-10EK | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), |
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| IRKUF102-10EKN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element |
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| IRKUF102-10EP | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), |
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| IRKUF102-10EPN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element |
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| IRKUF102-10FJ | ETC |
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THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|1KV V(RRM)|105A I(T) |
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意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
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