5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | FAST | 外壳连接： | ISOLATED |
| 标称电路换相断开时间： | 18 µs | 配置： | SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 400 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 快速连接描述： | 2G-2GR |
| 螺丝端子的描述： | A-K-AK | 最大维持电流： | 600 mA |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 | 最大漏电流： | 30 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 3000 A | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最大通态电流： | 105000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 164.85 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 30000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKTF102-08HPN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF102-10CJ | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1KV V(RRM)|105A I(T) |
|
| IRKTF102-10CK | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), |
|
| IRKTF102-10CP | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1KV V(RRM)|105A I(T) |
|
| IRKTF102-10CPN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF102-10DJ | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), |
|
| IRKTF102-10DK | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), |
|
| IRKTF102-10DKN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element |
|
| IRKTF102-10DP | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), |
|
| IRKTF102-10DPN | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
