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IRKTF102-10FK

更新时间： 2024-01-31 13:01:40

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		可控硅
页数	文件大小	规格书
8页	329K
描述
THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|1KV V(RRM)\|105A I(T)

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IRKTF102-10FK 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	其他特性：	FAST
外壳连接：	ISOLATED	标称电路换相断开时间：	20 µs
配置：	SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS	关态电压最小值的临界上升速率：	400 V/us
最大直流栅极触发电流：	200 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
快速连接描述：	2G-2GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
最大维持电流：	600 mA	JESD-30 代码：	R-PUFM-X7
最大漏电流：	30 mA	通态非重复峰值电流：	3000 A
元件数量：	2	端子数量：	7
最大通态电流：	105000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	164.85 A
重复峰值关态漏电流最大值：	30000 µA	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRKTF102-10FKN	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element
IRKTF102-10FP	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM),
IRKTF102-10GJ	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|1KV V(RRM)\|105A I(T)
IRKTF102-10GK	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|1KV V(RRM)\|105A I(T)
IRKTF102-10GP	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|1KV V(RRM)\|105A I(T)
IRKTF102-10HJ	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM),
IRKTF102-10HK	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM),
IRKTF102-10HP	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|1KV V(RRM)\|105A I(T)
IRKTF102-10HPN	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element
IRKTF102-12CJ	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM),