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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKTF102-12EJN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKTF102-12EK | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), |
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| IRKTF102-12EKN | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRKTF102-12EP | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), |
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| IRKTF102-12EPN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKTF102-12FJ | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), |
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| IRKTF102-12FJN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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| IRKTF102-12FK | ETC |
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THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.2KV V(RRM)|105A I(T) |
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| IRKTF102-12FP | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 105000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), |
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| IRKTF102-12FPN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 164.85A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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