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IRKN57/10AS90

更新时间： 2024-11-06 20:13:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
11页 250K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 60000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-240AA, ADD-A-PAK-5

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IRKN57/10AS90 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-240AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：5
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.17其他特性：UL APPROVED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：4 V
快速连接描述：G-GR螺丝端子的描述：2K-CA
最大维持电流：200 mAJEDEC-95代码：TO-240AA
JESD-30 代码：R-XUFM-X5JESD-609代码：e0
最大漏电流：15 mA通态非重复峰值电流：1520 A
元件数量：1端子数量：5
最大通态电流：60000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：135 A断态重复峰值电压：1000 V
重复峰值反向电压：1000 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

IRKN57/10AS90 数据手册

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Bulletin I27131 rev. G 10/02  
IRK.41, .56 SERIES  
THYRISTOR/ DIODE and  
THYRISTOR/ THYRISTOR  
ADD-A-pakTM GEN V Power Modules  
Features  
Benefits  
High Voltage  
Up to 1600V  
45 A  
60 A  
Industrial Standard Package  
Thick Al metal die and double stick bonding  
Thick copper baseplate  
Full compatible TO-240AA  
High Surge capability  
Easy Mounting on heatsink  
UL E78996 approved  
Al203 DBC insulator  
Heatsink grounded  
3500VRMS isolating voltage  
Mechanical Description  
The Generation V of Add-A-pak module combine the  
excellentthermalperformanceobtainedbytheusageof  
Direct Bonded Copper substrate with superior  
mechanical ruggedness, thanks to the insertion of a  
solidCopperbaseplateatthebottomsideofthedevice.  
The Cu baseplate allow an easier mounting on the  
majority of heatsink with increased tolerance of surface  
roughness and improve thermal spread.  
The electrical terminals are secured against axial pull-out:  
they are fixed to the module housing via a click-stop  
feature already tested and proved as reliable on other IR  
modules.  
Electrical Description  
These modules are intended for general purpose high  
voltageapplicationssuchashighvoltageregulatedpower  
supplies, lighting circuits, temperature and motor speed  
control circuits, UPS and battery charger.  
The Generation V of AAP module is manufactured  
without hard mold, eliminating in this way any possible  
direct stress on the leads.  
Major Ratings and Characteristics  
Parameters IRK.41  
IRK.56  
Units  
IT(AV)or IF(AV)  
45  
60  
A
A
@ 85°C  
IO(RMS) (*)  
100  
135  
ITSM @50Hz  
IFSM @60Hz  
850  
890  
1310  
1370  
A
A
2
2
I t @50Hz  
3.61  
8.50  
KA s  
2
@60Hz  
3.30  
36.1  
7.82  
85.0  
KA s  
2
2
I √t  
KA √s  
V
RRM range  
400 to 1600  
V
TSTG  
- 40 to 125  
- 40 to125  
oC  
oC  
TJ  
(*) As AC switch.  
Document Number: 93747  
www.vishay.com  
1
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与IRKN57/10AS90相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRKN57/10AS90PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 94.2A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-240
IRKN57/10P VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-240A
IRKN57/10S90P VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-240A
IRKN57/12A INFINEON

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 		THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKN57/12APBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 94.2A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-240
IRKN57/12AS90 INFINEON

获取价格

 		THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKN57/12AS90PBF VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 94.2A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-240
IRKN57/12P VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-240A
IRKN57/12S90P VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-240A
IRKN57/14A INFINEON

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