5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKHF200-12GK | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
|
| IRKHF200-12GKS10 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM) |
|
| IRKHF200-12GKS20 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM) |
|
| IRKHF200-12GP | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
|
| IRKHF200-12GPPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, POWER, |
|
| IRKHF200-12GPS10 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM) |
|
| IRKHF200-12GPS20 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM) |
|
| IRKHF200-12HJ | ETC |
获取价格 |
1200V Doubler Circuit Positive Control Inverter Thyristor/Diode in a MAGN-A-Pak package |
|
| IRKHF200-12HJN | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|1.2KV V(RRM)|200A I(T) |
|
| IRKHF200-12HJNPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
