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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKHF200-08KN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, POWER, MA |
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| IRKHF200-08KNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, POWER, MA |
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| IRKHF200-10CJ | ETC |
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THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|1KV V(RRM)|200A I(T) |
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| IRKHF200-10CJNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| IRKHF200-10CJPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| IRKHF200-10CJS10 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM) |
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| IRKHF200-10CK | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
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| IRKHF200-10CKN | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRKHF200-10CKNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| IRKHF200-10CKPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
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