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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKHF180-12DPN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IRKHF180-12DPNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IRKHF180-12DPS10 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM) |
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| IRKHF180-12DPS20 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM) |
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| IRKHF180-12EJ | ETC |
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THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|1.2KV V(RRM)|180A I(T) |
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| IRKHF180-12EJN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IRKHF180-12EJNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IRKHF180-12EJS10 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM) |
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| IRKHF180-12EJS20 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM) |
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| IRKHF180-12EK | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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