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IRFW710A

更新时间: 2024-11-06 20:23:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 150K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

IRFW710A 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:D2PAK-3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):114 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:400 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
最大漏极电流 (ID):2 A最大漏源导通电阻:3.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):6 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFW710A 数据手册

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