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IRFIZ48NPBF

更新时间： 2024-11-29 04:23:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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9页 271K
描述
POWER MOSFET

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IRFIZ48NPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.62其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：270 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：210 A表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFIZ48NPBF 数据手册

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PD -94835  
IRFIZ48NPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l IsolatedPackage  
l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS ꢀ  
l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm  
l Fully Avalanche Rated  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.016Ω  
G
l Lead-Free  
ID = 40A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional  
insulating hardware in commercial-industrial applications.  
The moulding compound used provides a high isolation  
capability and a low thermal resistance between the tab  
and external heatsink. This isolation is equivalent to using  
a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product.  
The Fullpak is mounted to a heatsink using a single clip or  
by a single screw fixing.  
TO-220 FULLPAK  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current †  
40  
29  
A
210  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
54  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.36  
± 20  
270  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚†  
Avalanche Current†  
mJ  
A
32  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ†  
Operating Junction and  
5.4  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
2.8  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
–––  
65  
11/13/03  
1234567...9

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IRFIZ48NPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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