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IRFIZ48N

更新时间： 2024-11-25 22:31:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 111K
描述
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=36A)

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IRFIZ48N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：270 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：36 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：210 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFIZ48N 数据手册

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PD 9.1407  
IRFIZ48N  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
Isolated Package  
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS  
Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm  
Fully Avalanche Rated  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.016Ω  
ID = 36A  
G
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremely  
low on-resistance per silicon area. This benefit, combined  
with the fast switching speed and ruggedized device  
design that HEXFET Power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient and  
reliable device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional  
insulating hardware in commercial-industrial applications.  
The moulding compound used provides a high isolation  
capability and a low thermal resistance between the tab  
and external heatsink. This isolation is equivalent to using  
a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product.  
The Fullpak is mounted to a heatsink using a single clip or  
by a single screw fixing.  
TO-220 FULLPAK  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
36  
25  
A
210  
PD @TC = 25°C  
PowerDissipation  
42  
W
W/°C  
V
LinearDeratingFactor  
0.28  
± 20  
270  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-SourceVoltage  
SinglePulseAvalancheEnergy  
AvalancheCurrent  
mJ  
A
32  
EAR  
dv/dt  
TJ  
RepetitiveAvalancheEnergy  
PeakDiodeRecoverydv/dt  
OperatingJunctionand  
4.2  
mJ  
V/ns  
5.6  
-55 to + 175  
TSTG  
StorageTemperatureRange  
SolderingTemperature,for10seconds  
Mountingtorque, 6-32orM3srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
3.6  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
–––  
65  
12345678

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IRFIZ48N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFIZ48NPBF INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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