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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF623R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
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| IRF624 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF624 | ROCHESTER |
获取价格 |
3.8A, 250V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF624 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRF624 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF624 | RENESAS |
获取价格 |
3.8A, 250V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRF624-001 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF624-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF624-005PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF624-011PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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