IRF6156PBF

更新时间： 2024-11-12 13:08:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
13页	248K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FLIPFET-6

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IRF6156PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	GRID ARRAY, R-PBGA-B6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PBGA-B6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF6156PBF 数据手册

PD - 94592A

IRF6156

l Ultra Low R_SS(on)per Footprint Area

FlipFET Power MOSFET

l Low Thermal Resistance

l Bi-Directional N-Channel Switch

l Super Low Profile (<.8mm)

l Available Tested on Tape & Reel

V_SS

20V

R_SS(on)max

40m @V_GS1,2= 4.5V

I_S

±6.5

60m @V_GS1,2= 2.5V

±5.2

l ESD Protection Diode

Description

True chip-scale packaging is available from International Recti-

fier. Through the use of advanced processing techniques and a

unique packaging concept, extremely low on-resistance and the

highestpowerdensitiesintheindustryhavebeenmadeavailable

for battery and load management applications. These benefits,

combined with the ruggedized device design that International

Rectifier is well known for, provide the designer with an

extremely efficient and reliable device.

TheFlipFET package, isone-fifththefootprintofacomparable

TSSOP-8 package and has a profile of less than .8mm. Com-

bined with the low thermal resistance of the die level device, this

makes the FlipFET the best device for applications where

printed circuit board space is at a premium and in extremely thin

application environments such as battery packs, mobile phones

and PCMCIA cards.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_SS

Source-to-Source Voltage

Continuous Current, V_GS1= V_GS2= 4.5V

Pulsed Current

I_S@ T_A= 25°C

I_S@ T_A= 70°C

I_SM

±6.5

±5.2

Power Dissipation

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

2.5

Power Dissipation

1.6

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

mW/°C

±12

Operating Junction and

-55 to + 150

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

Units

R_θJA

°C/W

R_θJ-PCB

Junction-to-PCB

–––

www.irf.com

09/25/03

12 3 4 5 6 7...13

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与IRF6156PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF620	TRSYS	获取价格	Power MOSFET
IRF620	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
IRF620	INTERSIL	获取价格	5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF620	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
IRF620	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF620	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF620	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF620-001	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF620-001PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF620-002	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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