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IRF512-013PBF

更新时间: 2024-09-29 07:34:55
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描述
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRF512-013PBF 数据手册

  

与IRF512-013PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF512R ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB
IRF513 HARRIS

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4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF513 TI

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IRF513
IRF513 FAIRCHILD

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N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
IRF513 SUPERTEX

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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
IRF513 NJSEMI

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Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IRF513-001PBF INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF513-002PBF INFINEON

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4.9A, 80V, 0.74ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF513-003 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF513-003PBF INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met