5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.11 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.9 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 43 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF513-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF513-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.9A, 80V, 0.74ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF513-003 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF513-003PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF513-004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF513-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF513-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.9A, 80V, 0.74ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF513-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.9A, 80V, 0.74ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF513-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF513-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
