5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.26 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.74 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF513R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF520 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
|
| IRF520 | SUPERTEX |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs |
|
| IRF520 | INTERSIL |
获取价格 |
9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRF520 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
|
| IRF520 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF520 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
| IRF520-001 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF520-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF520-019PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
