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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.9 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 43 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF513-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF513-002PBF | INFINEON |
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4.9A, 80V, 0.74ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF513-003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF513-003PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF513-004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF513-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF513-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.9A, 80V, 0.74ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF513-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.9A, 80V, 0.74ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF513-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF513-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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