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IRF250

更新时间： 2024-02-22 19:32:13

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描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

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IRF250 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	88 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF250 数据手册

IRF250

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

POWER MOSFET

39.95 (1.573)

max.

30.40 (1.197)

30.15 (1.187)

17.15 (0.675)

16.64 (0.655)

V_DSS

200V

30A

I_D(cont)

R_DS(on)

4.09 (0.161)

3.84 (0.151)

dia.

2 plcs.

Ω

0.085

FEATURES

• HERMETICALLY SEALED TO–3 METAL

PACKAGE

20.32 (0.800)

18.80 (0.740)

dia.

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• SCREENING OPTIONS AVAILABLE

1.57 (0.062)

1.47 (0.058)

dia.

2 plcs.

TO–3 Metal Package

Pin 1 – Gate

Pin 2 – Source

Case – Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

±20V

30A

(V = 0 , T

= 25°C)

case

(V = 0 , T

= 100°C)

19A

Pulsed Drain Current

120A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

150W

Linear Derating Factor

1.2W/°C

200mJ

30A

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

15mJ

dv/dt

T , T

Peak Diode Recovery

5V/ns

Operating and Storage Temperature Range

Lead Temperature 1.6mm (0.63”) from case for 10 sec.

–55 to +150°C

300°C

stg

Notes

1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, δ ≤ 2%.

2) @ V = 50V , L ≥ 330mH , R = 25Ω , Peak I = 30A , Starting T = 25°C.

3) @ I ≤ 30A , di/dt ≤ 190A/µs , V ≤ BV

, T ≤ 150°C , Suggested R = 2.35Ω

J G

DSS

Prelim. 9/96

Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.

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