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IR24ASR04N

更新时间： 2024-10-02 05:08:03

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		栅栅极
页数	文件大小	规格书
3页	225K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element

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IR24ASR04N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DISK BUTTON, O-XEDB-N2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.92	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
最大维持电流：	600 mA	JESD-30 代码：	O-XEDB-N2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
断态重复峰值电压：	400 V	重复峰值反向电压：	400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR

IR24ASR04N 数据手册

Bulletin I0145J 04

IR24ASR..NSERIES

PHASE CONTROL THYRISTORS

Junction Size:

V_RRMClass:

24 mm Diameter

400 and 600 V

PassivationProcess:

Diffused Junction

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

Test Conditions

T_J=25°C, I_T=500A

T_J=125°C, I_RRM=30mA

T_J=25°C, I_RRM=10mA

T_J=25°C

V_TM

MaximumOn-state Voltage

1.20V

V_RRMReverseBreakdownVoltageRange

400and 600V

I_GT

V_GT

I_H

Max.RequiredDCGateCurrenttoTrigger

Max.RequiredDCGateVoltagetoTrigger

MaximumHoldingCurrent

150mA

3.0V

T_J=25°C

600mA

T_J=125°C,anodesupply12Vresistiveload

I_L

Max.(Typical)LatchingCurrent

1000(300)mA T_J=125°C,anodesupply12Vresistiveload

Mechanical Characteristics

NominalBackMetalComposition

Al (130KA)

NominalFrontMetalComposition

ChipDimensions

Nickelplatemolybdenumdisc

24mmdiameter(seedrawing)

RecommendedStorageEnvironment

Storage inoriginal container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

Document Number: 93890

www.vishay.com

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