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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | X-XUUC-N |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.40 | 风险等级： | 5.63 |
| 应用： | FAST RECOVERY | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 最大输出电流： | 40 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.5 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IR210LR-G10S05PBF | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1000V V(RRM), Silicon, |
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| IR210SG12H | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 0.210 X 0.210 INCH, D |
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| IR210SG-G01 | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G01PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G02 | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G02PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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