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IR210SG12H

更新时间： 2024-02-19 23:35:05

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
3页	17K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 0.210 X 0.210 INCH, DIE-3

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IR210SG12H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DIE	包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.40
风险等级：	5.19	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	60 mA	最大直流栅极触发电压：	1.9 V
最大维持电流：	125 mA	JESD-30 代码：	S-XUUC-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

IR210SG12H 数据手册

Bulletin I0204J 02/97

IR210SG12HCB

PHASE CONTROL THYRISTORS

Junction Size:

Wafer Size:

Square 210 mils

V_RRMClass:

1200 V

Passivation Process:

Glassivated MESA

Reference IR Packaged Part: 25RIA Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

Test Conditions

V_TM

Maximum On-state Voltage

1.5 V

1200 V

60 mA

1.9 V

T_J= 25°C, I_T= 25 A

V_RRMReverse Breakdown Voltage

T_J= 25°C, I_RRM= 100 µA

(1)

I_GT

V_GT

I_H

Max. Required DC Gate Current to Trigger

Max. Required DC Gate Voltage to Trigger

HoldingCurrentRange

T_J=25°C, anodesupply=6V, resistiveload

10 to 125 mA Anode supply = 6 V, resistive load

I_L

Maximum Latching Current

200 mA

Anode supply = 6 V, resistive load

(1)Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

210 x 210 mils (see drawing)

100 mm, with std. < 100 > flat

370 µm ± 10 µm

Nominal Front Metal Composition, Thickness

ChipDimensions

Wafer Diameter

Wafer Thickness

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

130µm

0.25mmdiameterminimum

Seedrawing

InkDotLocation

RecommendedStorageEnvironment

Storageinoriginalcontainer, indessicated

nitrogen,withnocontamination

www.irf.com

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与IR210SG12H相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IR210SG-G01	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element	获取价格
IR210SG-G01PBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element	获取价格
IR210SG-G02	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element	获取价格
IR210SG-G02PBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element	获取价格
IR210SG-G04PBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element	获取价格
IR210SG-G06	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element	获取价格