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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.40 |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | CENTER GATE THYRISTOR DIE |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | S-XUUC-N2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 35 A | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IR210SG-G08PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G10 | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G10PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G12 | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G12PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G14 | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element |
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