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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.40 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | CENTER GATE THYRISTOR DIE |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | S-XUUC-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 35 A |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IR210SG-G12 | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G12PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G14 | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G14PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G16 | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G16PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element |
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