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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.40 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | CENTER GATE THYRISTOR DIE | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | S-XUUC-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 35 A | 断态重复峰值电压： | 100 V |
| 重复峰值反向电压： | 100 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IR210SG-G01PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G02 | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G02PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G04PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G06 | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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| IR210SG-G06PBF | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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