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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> IR20153SPBF
IR20153SPBF PDF预览

IR20153SPBF

更新时间： 2024-01-31 13:16:54
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 220K
描述
HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE

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IR20153SPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：LEAD FREE, MS-012AA, SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.79Is Samacsys：N
高边驱动器：YES接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
标称输出峰值电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：20 V
最小供电电压：5 V标称供电电压：5 V
电源电压1-最大：170 V电源电压1-分钟：3.4 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
断开时间：0.9 µs接通时间：2 µs
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

IR20153SPBF 数据手册

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IR20153S & (PbF)  
Electrical Characteristics  
Unless otherwise specified,  
Ω
V
CC  
= 5V, V  
BS  
= 7V, V = 0V, IN = 0V, RES = 5V, load R = 50 , C = 6.8nF (see Figure 3).  
S
Unless otherwise noted, these specifications apply for an operating ambient temperature of T =25°C.  
A
Symbol  
Definition  
Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
VCC Supply Characteristics  
—
—
—
V
rising from 0V  
CC  
V
VCC supply undervoltage positive going threshold  
4.3  
—
CCUV+  
V
V
V
CC  
supply undervoltage negative going threshold 2.5  
V
dropping  
CC  
CCUV-  
from 5V  
V
V
V
supply undervoltage lockout hysteresis  
supply current  
0.01  
—
0.3  
—
0.60  
400  
CCUVHYS  
CC  
I
uA  
V
V
= 3.6V & 6.5V  
rising from 0V  
dropping  
BS  
from 5V  
CC  
QCC  
CC  
VBS Supply Characteristics  
—
—
—
V
+
V
BS  
supply undervoltage positive going threshold  
4.3  
—
V
BS  
BSUV  
V
-
V
BS  
supply undervoltage negative going threshold  
2.5  
V
BSUV  
V
V
BS  
V
BS  
supply undervoltage lockout hysteresis  
supply current  
0.01  
—
0.3  
—
0.60  
100  
BSUVHYS  
µ
µ
I
A
static mode, V  
=
QBS1  
BS  
7V, IN = 0V or 5V  
static mode, V =  
—
—
—
—
I
V
supply current  
200  
A
QBS2  
BS  
BS  
16V, IN = 0V or 5V  
VB. VS Supply Characteristics  
µ
A
I
Offset supply leakage current  
50  
V = V = 150V  
B
S
LK  
Gate Driver Characteristics  
—
—
I
I
Peak output source current  
Peak output source current  
Output rise time  
250  
800  
—
400  
1500  
0.2  
mA  
mA  
o+1  
o+2  
V
= 16V  
BS  
µ
µ
t
t
0.4  
0.2  
—
sec  
sec  
r1  
r2  
—
Output rise time  
0.1  
V
= 16V  
BS  
I
I
Peak output sink current  
Peak output sink current  
Output fall time  
250  
800  
—
—
—
400  
1500  
0.2  
0.1  
1.0  
mA  
mA  
IN = 5V  
= 16V, IN = 5V  
IN = 5V  
o-1  
o-2  
—
V
V
BS  
µ
µ
µ
t
t
0.4  
0.2  
2.0  
sec  
sec  
sec  
f1  
f2  
Output fall time  
= 16V, IN = 5V  
BS  
t
Input-to-Output Turn-on propogation delay  
(50% input level to 10% output level)  
Input-to-Output Turn-off propogation delay  
(50% input level to 90% output level)  
RES-to-Output Turn-off propogation delay  
on  
—
—
µ
sec  
µ
sec  
t
0.3  
0.3  
0.9  
0.9  
off  
t
res,off  
(50% input level to 90% [t ] output levels)  
phl  
www.irf.com  
3
1234567...15

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