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IR135LM06CS02

更新时间： 2024-11-12 21:13:39

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英飞凌 - INFINEON		快速恢复二极管
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3页	16K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER

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IR135LM06CS02 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	WAFER	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.5
应用：	FAST RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-XUUC-N1	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.055 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IR135LM06CS02 数据手册

Preliminary Data Sheet I0127J 09/97

IR135LM06CS02CB

FAST RECOVERY DIODE

Junction Size:

Wafer Size:

Rectangular 135 x 100 mils

V_RRMClass:

600 V

Passivation Process:

Glassivated MOAT

Reference IR Packaged Part: 8EWF..S Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

1.2V

TestConditions

V_FM

V_RRMReverse Breakdown Voltage

Reverse RecoveryTime

Maximum Forward Voltage

T_J=25°C, I_F=8A

600V

55ns

T_J= 25°C, I_RRM= 100 µA

(1)

T_J=25°C, I_F=1A, -di/dt=100A/µs

(1)Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

Nominal Front Metal Composition, Thickness

Chip Dimensions

135x100mils(seedrawing)

Wafer Diameter

Wafer Thickness

100 mm, with std. < 110 > flat

300 µm, ± 10 µm

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

45 µm

0.25 mm diameter minimum

Seedrawing

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Storage in original container, in dessicated

nitrogen,withnocontamination

www.irf.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IR140CSPTR	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-4
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