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IPDQ60R040S7

更新时间： 2023-09-03 20:39:22

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电池高压继电器断路器
页数	文件大小	规格书
14页	1280K
描述
在采用紧凑型 SMD 封装的高压超结 MOSFET 中，600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 系列针对低导通损耗作了优化，具有市场上最低的 RDS(on)。其 RDS(on) x 价格品质因数前所未有，完美契合大功率电源中的固态断路器和继电器、PLC、电池保护及有源桥式整流。顶部冷却可最大限度地降低导通损耗，同时最大限度地提高功率密度，冷却方式采用最高效的 SMD 冷却。

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IPDQ60R040S7 数据手册

600VꢀCoolMOSªꢀSJꢀS7ꢀPowerꢀDevice

IPDQ60R040S7

3ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics

atꢀT_j=25°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ4ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics

For applications with applied blocking voltage >70% of the specified blocking voltage, it is required that the customer

evaluates the impact of cosmic radiation effect in early design phase and contacts the Infineon sales office for the

necessary technical support by Infineon

Values

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

V_(BR)DSS

V_(GS)th

V_GS=0V,ꢀI_D=1mA

4.0

4.5

V_DS=V_GS,ꢀI_D=0.79mA

V_DS=600V,ꢀV_GS=0V,ꢀT_j=25°C

V_DS=600V,ꢀV_GS=0V,ꢀT_j=150°C

Zero gate voltage drain current

Gate-source leakage current

Drain-source on-state resistance

Gate resistance

I_DSS

µA

Ω

I_GSS

100

V_GS=20V,ꢀV_DS=0V

0.036 0.040

0.084

V_GS=12V,ꢀI_D=13A,ꢀT_j=25°C

V_GS=12V,ꢀI_D=13A,ꢀT_j=150°C

R_DS(on)

R_G

0.8

Ω

f=1MHz,ꢀopenꢀdrain

Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀDynamicꢀcharacteristics

Values

Typ.

3127

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Input capacitance

Output capacitance

C_iss

V_GS=0V,ꢀV_DS=300V,ꢀf=250kHz

C_oss

Effective output capacitance, energy

related¹⁾

C_o(er)

168

V_GS=0V,ꢀV_DS=0ꢀtoꢀ300V

Effective output capacitance, time

related²⁾

C_o(tr)

Q_oss

t_d(on)

1476

443

I_D=constant,ꢀV_GS=0V,ꢀV_DS=0ꢀtoꢀ300V

V_GS=0V,ꢀV_DS=0ꢀtoꢀ300V

Output charge

V_DD=300V,ꢀV_GS=13V,ꢀI_D=13A,

R_G=8Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

Turn-on delay time

V_DD=300V,ꢀV_GS=13V,ꢀI_D=13A,

R_G=8Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

Rise time

t_r

V_DD=300V,ꢀV_GS=13V,ꢀI_D=13A,

R_G=8Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

Turn-off delay time

Fall time

t_d(off)

t_f

120

V_DD=300V,ꢀV_GS=13V,ꢀI_D=13A,

R_G=8Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

Tableꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀGateꢀchargeꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Gate to source charge

Gate to drain charge

Gate charge total

Q_gs

V_DD=300V,ꢀI_D=13A,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ12V

Q_gd

Q_g

Gate plateau voltage

V_plateau

5.4

¹⁾ꢀC_o(er)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀstoredꢀenergyꢀasꢀC_ossꢀwhileꢀV_DSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ300V

²⁾ꢀC_o(tr)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀchargingꢀtimeꢀasꢀC_ossꢀwhileꢀV_DSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ300V

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2021-08-20

1 2 3 456 7 8...14

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与IPDQ60R040S7相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IPDQ60R040S7A	INFINEON	The automotive qualified AEC-Q101, 600 V Cool	获取价格
IPDQ60R045CFD7	INFINEON	The?600 V CoolMOS? CFD7?is Infineon’s latest	获取价格
IPDQ60R055CFD7	INFINEON	The?600 V CoolMOS? CFD7?is Infineon’s latest	获取价格
IPDQ60R065S7	INFINEON	在采用紧凑型 SMD 封装的高压超结 MOSFET 中，600V CoolMOS? S7	获取价格
IPDQ65R017CFD7	INFINEON	Infineon’s 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction	获取价格
IPDQ65R017CFD7A	INFINEON	采用 QDPAK 顶部冷却 SMD 封装的 17mΩ IPDQ65R017CFD7A 属于	获取价格

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