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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 1.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 56 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 53 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IPD60R180P7S | INFINEON | 600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO |
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| IPD60R180P7SAUMA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPD60R1K0CE | INFINEON |
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| IPD60R1K0CEAUMA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| IPD60R1K0PFD7S | INFINEON | The 600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET (IPD60R1K0PFD7S) complements the CoolMOS? 7 of |
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| IPD60R1K4C6 | INFINEON | 600V CoolMOS C6 Power Transistor |
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