是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.8 | FET 技术: | JUNCTION |
最高工作温度: | 200 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.25 W | 子类别: | FET General Purpose Small Signal |
表面贴装: | NO | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5196-E3 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET |
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2N5197 | NJSEMI | MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFETS |
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2N5197 | INTERSIL | N-CHANNEL JFET |
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2N5197 | VISHAY | Monolithic N-Channel JFET Duals |
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2N5198 | VISHAY | Monolithic N-Channel JFET Duals |
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2N5198 | INTERSIL | N-CHANNEL JFET |
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