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INC5005AC1

更新时间： 2025-07-28 12:31:11
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谏早电子 - ISAHAYA 驱动
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2页 271K
描述
FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

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INC5005AC1 数据手册

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INC5005AC1  
PRELIMINARY  
Notice：This is not a final specification  
Some parametric are subject to change.  
FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION  
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE  
DESCRIPTION  
OUTLINE DRAWING  
UNIT：mm  
2.8  
1.5  
INC5005AC1 is a silicon NPN epitaxial type transistor.  
It is designed with high collector current and small VCE(sat)  
0.65  
0.65  
.
FEATURE  
①
②
・Super mini package for easy mounting  
・High collector current(IC=1.5A)  
・Low collector saturation voltage  
(VCE（sat）<0.5Vmax；IC=800mA、IB=80mA)  
③
APPLICATION  
Switching, Small type motor drive  
JEITA:SC-59  
JEDEC: Similar to TO-236  
Terminal Connector  
①：Base  
②：Emitter  
③：Collector  
MAXIMUM RATING（Ta=25℃）  
SYMBOL  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
I C  
PARAMETER  
Collector to Emitter voltage  
Collector to Base voltage  
Emitter to Base voltage  
Collector current  
RATING  
UNIT  
V
MARKING  
25  
Type Name  
45  
6
V
V
1.5  
A
PC  
Collector dissipation(Ta=25℃)  
Junction temperature  
200  
mW  
℃
℃
C C H  
Tj  
＋150  
-55～＋150  
Tstg  
Storage temperature  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
LIMITS  
SYMBOL  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
UNIT  
MIN  
25  
45  
6
TYP  
-
MAX  
-
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
C to E break down voltage  
C to B break down voltage  
E to B break down voltage  
Collector cut off current  
Emitter cut off current  
DC forward current gain1  
DC forward current gain2  
DC forward current gain3  
C to E saturation voltage  
B to E saturation voltage  
B to E on voltage  
I C=1mA，I B=0mA  
V
V
I C=100μA，I E=0mA  
I E=100μA，I C=0mA  
VCB=45V，I E =0mA  
VEB=6V，I C=0mA  
-
-
-
-
V
-
-
0.1  
0.1  
-
μA  
μA  
-
IEBO  
-
-
ｈＦＥ1  
VCE=1V，I C=5mA  
45  
85  
40  
-
-
ｈＦＥ2  
VCE=1V，I C=100mA  
VCE=1V，I C=100mA  
I C=800mA，I B=80mA  
I C=800mA，I B=80mA  
VCE=1V，I C=10mA  
-
300  
-
-
ｈＦＥ3  
-
-
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
fT  
0.28  
0.28  
0.66  
300  
6.5  
0.5  
0.5  
1
V
-
V
-
V
Gain bandwidth product  
Collector output capacitance  
VCE=10V，I E=-50mA，f=100MHz  
VCB=10V，f=1MHz  
100  
-
-
MHz  
pF  
Cob  
-
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION  
12

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