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INC6002AC1

更新时间： 2025-07-28 12:31:11

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谏早电子 - ISAHAYA		晶体晶体管
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3页	68K
描述
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN TRANSISTOR

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INC6002AC1 数据手册

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<SMALL-SIGNAL TRANSISTOR>

PRELIMINARY

INC6002AC1

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION

SILICON NPN TRANSISTOR

Notice : This is not a final specification.

Some parametric subject to change.

DESCLIPTION

OUTLINE DRAWING

Unit：mm

2.8

1.5

INC6002AC1 is a silicon NPN transistor.

It is designed with high voltage.

0.65

0.65

(1)

(2)

FEATURE

・Super mini package for easy mounting.

・Hige voltage VCEO=300V

(3)

APPLICATION

DC/DC convertor, High voltage switching

JEITA：SC-59

TERMINAL CONNECTER

(1) BASE

JEDEC：Similar toTO-236

(2) EMITTER

(3) COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS （Ta=25℃）

Symbol

VCBO

VEBO

VCEO

IC

Parameter

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector Current

Ratings

Unit

MARKING

300

V

V

7

300

V

50

mA

mW

℃

℃

4 W

PC

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

Tj

150

Tstg

-55～+150

ELECTRIC CHARACTERISTICS （Ta=25℃）

Limits

Symbol

Parameter

Test conditions

Unit

Min

300

5

Typ

-

Max

-

V(BR)CBO

V(BR)EBO

V(BR)CEO

ICBO

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

IC=50µA，IE=0

V

V

IE=50µA，IC=0

-

-

IC=1mA，RBE=∞

VCB=300V，IE=0

VEB=5V，IC=0

300

-

-

-

V

-

0.5

0.5

305

1.0

-

µA

µA

-

IEBO

Emitter Cutoff Current

-

-

hFE

DC Forward Current Gain

VCE=10V，IC=1mA

IC=10mA，IB=1mA

VCE=10V，IE=-10mA

VCB=6V，IE=0，f=1MHz

50

-

-

VCE(sat)

fT

Collector-Emitter Saturation Voltage

Gain Bandwidth Product

-

V

-

50

1.9

MHz

pF

Cob

Collector Output Capacitance

-

-

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION

12 3

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