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INC6007AP1

更新时间： 2025-07-28 12:31:11

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描述
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

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INC6007AP1 数据手册

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<SMALL-SIGNAL TRANSISTOR>

PRELIMINARY

Notice：This is not a final specification

Some parametric are subject to change.

INC6007AP1

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION

SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

DESCRIPTION

OUTLINE DRAWING

UNIT：ｍｍ

INC6007AP1 is a silicon NPN transistor.

4.6 MAX

1.6

It is designed with high voltage.

1.5

FEATURE

・Small package for easy mounting.

・High voltage V_CEO= 400V

・High collector current Ic=500mA

C

E

B

0.53

MAX

0.4

0.48 MAX

1.5

3.0

マーキング

APPLICATION

MARKING

DC-DC converter, High voltage switching

TERMINAL CONNECTOR

電極接続

E：EMITTER

Ｅ: エミッタ

Ｃ: コレクタ

Ｂ: ベース

B：BASE

JEITA:SC-62

EIAJ : SC-62

JEDEC :

JEDEC：―

C：COLLECTOR

JEDEC:SOT-89

MAXIMUM RATING（Ta=25℃）

MARKING

SYMBOL

V_CBO

V_EBO

V_CEO

I _C

PARAMETER

Collector to Base voltage

Emitter to Base voltage

Collector to Emitter voltage

Collector current

RATING

UNIT

V

Type Name

400

5

V

400

V

B K

W

500

mA

W

P_C

Collector dissipation(Ta=25℃)

Junction temperature

0.5

T_j

＋150

-55～＋150

℃

℃

T_stg

Storage temperature

LOT №

h_FEITEM

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）

LIMITS

TYP

SYMBOL

PARAMETER

TEST CONDITIONS

I _C=100μA，I _E=0mA

UNIT

MIN

400

MAX

-

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_(BR)CEO

I_CBO

C to B break down voltage

E to B break down voltage

C to E break down voltage

Collector cut off current

Emitter cut off current

DC forward current gain1

DC forward current gain2

C to E saturation voltage

B to E saturation voltage

Gain bandwidth product

Collector output capacitance

Turn on time

-

-

V

V

I _E=100μA，I _C=0mA

I _C=10mA，R_BE=∞

5

400

-

-

-

-

V

V_CB=320V，I _E=0mA

V_EB=4V，I _C=0mA

-

100

100

-

nA

nA

-

I_EBO

-

-

ｈＦＥ1

ｈＦＥ2

VCE(sat)

VBE(sat)

fT

V_CE=5V，I _C=1mA

50

50

-

-

V_CE=5V，I _C=100mA

I _C=100mA，I _B=10mA

I _C=100mA，I _B=10mA

V_CE=20V，I _E=-20mA

V_CB=20V，I _E=0mA，f=1MHz

-

150

0.5

0.9

-

-

-

V

-

-

V

50

-

-

MHz

pF

ns

ns

Cob

-

10

-

ton

-

130

3300

V_CC=100V，I _C=100mA

I _B1=10mA，-I _B2=20mA

toff

Turn off time

-

-

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION

12

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