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IMT65R039M1H

更新时间： 2024-04-09 19:02:53
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
15页 1507K
描述
CoolSIC? MOSFET?650 V, 39 mΩ in TOLL package leverages the strengths of the Infineon SiC technolog

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IMT65R039M1H 数据手册

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650ꢀVꢀCoolSiCªꢀM1ꢀSiCꢀTrenchꢀPowerꢀDevice  
IMT65R039M1H  
4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics  
atꢀTJꢀ=ꢀ25ꢀ°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified  
Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics  
Values  
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
-
Max.  
-
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage1)  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
V
V
VGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ0.75ꢀmA  
VDSꢀ=ꢀVGS,ꢀIDꢀ=ꢀ7.5ꢀmA  
4.5  
5.7  
-
-
1
3
150  
-
VDSꢀ=ꢀ650ꢀV,ꢀVGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTJꢀ=ꢀ25ꢀ°C  
VDSꢀ=ꢀ650ꢀV,ꢀVGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTJꢀ=ꢀ175ꢀ°C  
Zero gate voltage drain current  
Gate leakage current  
IDSS  
µA  
nA  
Ω
IGSS  
-
-
100  
VGSꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀVDSꢀ=ꢀ0ꢀV  
-
-
0.039 0.051  
0.055  
VGSꢀ=ꢀ18ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ25.0ꢀA,ꢀTJꢀ=ꢀ25ꢀ°C  
VGSꢀ=ꢀ18ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ25.0ꢀA,ꢀTJꢀ=175ꢀ°C  
Drain-source on-state resistance  
Internal gate resistance  
RDS(on)  
RG  
-
-
5.0  
-
Ω
fꢀ=ꢀ1ꢀMHz  
Tableꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀDynamicꢀcharacteristics  
Values  
Typ.  
1393  
15  
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
Max.  
-
Input capacitance  
Ciss  
Crss  
Coss  
Qoss  
-
-
-
-
pF  
pF  
pF  
nC  
VGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀVDSꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀfꢀ=ꢀ250ꢀkHz  
VGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀVDSꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀfꢀ=ꢀ250ꢀkHz  
VGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀVDSꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀfꢀ=ꢀ250ꢀkHz  
calculationꢀbasedꢀonꢀCoss  
Reverse transfer capacitance  
Output capacitance2)  
Output charge2)  
-
160  
208  
126  
97  
Effective output capacitance, energy  
related3)  
VGSꢀ=ꢀ0ꢀV,  
VDSꢀ=ꢀ0...400ꢀV  
Co(er)  
Co(tr)  
td(on)  
tr  
-
-
-
-
-
-
182  
241  
7.1  
10.9  
17.4  
7
-
-
-
-
-
-
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
Effective output capacitance, time  
related4)  
IDꢀ=ꢀconstant,ꢀVGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
VDSꢀ=ꢀ0...400ꢀV  
VDDꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀVGSꢀ=ꢀ18ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ25.0ꢀA,  
RGꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ;ꢀseeꢀtableꢀ10  
Turn-on delay time  
Rise time  
VDDꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀVGSꢀ=ꢀ18ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ25.0ꢀA,  
RGꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ;ꢀseeꢀtableꢀ10  
VDDꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀVGSꢀ=ꢀ18ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ25.0ꢀA,  
RGꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ;ꢀseeꢀtableꢀ10  
Turn-off delay time  
Fall time  
td(off)  
tf  
VDDꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀVGSꢀ=ꢀ18ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ25.0ꢀA,  
RGꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ;ꢀseeꢀtableꢀ10  
1)ꢀTestedꢀafterꢀ1ꢀmsꢀpulseꢀatꢀVGSꢀ=ꢀ+20ꢀV  
2)ꢀMaximumꢀspecificationꢀisꢀdefinedꢀbyꢀcalculatedꢀsixꢀsigmaꢀupperꢀconfidenceꢀbound  
3)ꢀCo(er)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀstoredꢀenergyꢀasꢀCossꢀwhileꢀVDSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ400ꢀV  
4)ꢀCo(tr)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀchargingꢀtimeꢀasꢀCossꢀwhileꢀVDSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ400ꢀV  
Final Data Sheet  
5
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2023-02-24  
12345678...15

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