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IL4J-65608V-70:R

更新时间: 2024-09-17 05:41:35
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 519K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDSO32,

IL4J-65608V-70:R 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-CDSO-N32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IL4J-65608V-70:R 数据手册

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FIFO, 512X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32,
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FIFO, 512X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32,
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FIFO, 512X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32,
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FIFO, 512X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32,