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IKQ75N120CH7

更新时间： 2023-09-03 20:39:25

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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描述
TRENCHSTOP™ IGBT7

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IKQ75N120CH7 数据手册

IKQ75N120CH7

™

High speed 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 Technology

3 Diode

Table 5

(continued) Characteristic values

Symbol Note or test condition

Parameter

Values

Typ.

Unit

Min.

Max.

Diode peak rate of fall of

reverse recovery current

di_rr/dt V_R= 600 V, R_G(on)= 8 Ω

T_vj= 25 °C,

I_F= 75 A

-271

A/µs

T_vj= 175 °C,

I_F= 75 A

-295

0.7

Reverse recovery energy

E_rec

V_R= 600 V, R_G(on)= 8 Ω

T_vj= 25 °C,

I_F= 75 A

°C

T_vj= 175 °C,

I_F= 75 A

2.14

Operating junction

temperature

T_vj

-40

175

Note:

For optimum lifetime and reliability, Infineon recommends operating conditions that do not exceed 80% of

the maximum ratings stated in this datasheet.

Dynamic test circuit, parasitic inductance L = 30 nH, C = 18 pF

Datasheet

Revision 1.10

2023-01-20

1...3 4 567 8 9...17

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