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IKQ75N120CH7

更新时间： 2023-09-03 20:39:25
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TRENCHSTOP™ IGBT7

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IKQ75N120CH7 数据手册

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IKQ75N120CH7  
™
High speed 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 Technology  
2 IGBT  
Table 3  
(continued) Characteristic values  
Symbol Note or test condition  
Parameter  
Values  
Typ.  
5.5  
Unit  
Min.  
Max.  
Gate-emitter threshold  
voltage  
VGEth  
ICES  
IC = 1.2 mA, VCE = VGE  
VCE = 1200 V, VGE = 0 V  
4.7  
6.2  
V
Zero gate-voltage collector  
current  
Tvj = 25 °C  
40  
µA  
Tvj = 175 °C  
4600  
Gate-emitter leakage  
current  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
IC = 75 A, VCE = 20 V  
100  
nA  
Transconductance  
Input capacitance  
Output capacitance  
gfs  
Cies  
Coes  
Cres  
127  
9.6  
184  
54  
S
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 100 kHz  
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 100 kHz  
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 100 kHz  
nF  
pF  
pF  
Reverse transfer  
capacitance  
Gate charge  
QG  
IC = 75 A, VGE = 15 V, VCC = 960 V  
518  
56  
nC  
ns  
Turn-on delay time  
td(on)  
VCC = 600 V, VGE = 0/15 V, Tvj = 25 °C,  
RG(on) = 8 Ω, RG(off) = 8 Ω IC = 75 A  
Tvj = 175 °C,  
IC = 75 A  
52  
61  
Rise time (inductive load)  
Turntoff delay time  
Fall time (inductive load)  
Turn-on energy  
tr  
td(off)  
tf  
VCC = 600 V, VGE = 0/15 V, Tvj = 25 °C,  
RG(on) = 8 Ω, RG(off) = 8 Ω IC = 75 A  
ns  
ns  
Tvj = 175 °C,  
IC = 75 A  
62  
VCC = 600 V, VGE = 0/15 V, Tvj = 25 °C,  
RG(on) = 8 Ω, RG(off) = 8 Ω IC = 75 A  
470  
545  
32  
Tvj = 175 °C,  
IC = 75 A  
VCC = 600 V, VGE = 0/15 V, Tvj = 25 °C,  
RG(on) = 8 Ω, RG(off) = 8 Ω IC = 75 A  
ns  
Tvj = 175 °C,  
IC = 75 A  
114  
5.28  
7.76  
1.76  
3.84  
Eon  
VCC = 600 V, VGE = 0/15 V, Tvj = 25 °C,  
RG(on) = 8 Ω, RG(off) = 8 Ω IC = 75 A  
mJ  
mJ  
Tvj = 175 °C,  
IC = 75 A  
Turntoff energy  
Eoff  
VCC = 600 V, VGE = 0/15 V, Tvj = 25 °C,  
RG(on) = 8 Ω, RG(off) = 8 Ω IC = 75 A  
Tvj = 175 °C,  
IC = 75 A  
(table continues...)  
Datasheet  
4
Revision 1.10  
2023-01-20  
1234567...17

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