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IKQ75N120CH7

更新时间： 2023-09-03 20:39:25

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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17页	1600K
描述
TRENCHSTOP™ IGBT7

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IKQ75N120CH7 数据手册

IKQ75N120CH7

™

High speed 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 Technology

1 Package

Package

Table 1

Characteristic values

Symbol Note or test condition

Parameter

Values

Typ.

Unit

Min.

Max.

Internal emitter

inductance measured 5

mm (0.197 in.) from case

L_E

Storage temperature

Soldering temperature

T_stg

-55

150

260

°C

T_sold

wave soldering 1.6 mm (0.063 in.) from case

for 10 s

Thermal resistance,

junction-ambient

R_th(j-a)

R_th(j-c)

K/W

IGBT thermal resistance,

junction-case

0.21

0.37

0.27

0.48

Diode thermal resistance,

junction-case

IGBT

Table 2

Maximum rated values

Symbol Note or test condition

Parameter

Values

1200

Unit

Collector-emitter voltage

V_CE

T_vj≥ 25 °C

DC collector current,

limited by T_vjmax

I_C

limited by bondwire

T_c= 25 °C

T_c= 100 °C

Pulsed collector current, t_p

limited by T_vjmax

I_Cpulse

300

Turntoﬀ safe operating

area

V_CC≤ 800 V, V_CE,peak< 1200 V, V_GE= 0/15 V,

R_Goﬀ≥ 5.3 Ω, T_vj≤ 175 °C

300

Gate-emitter voltage

V_GE

Transient gate-emitter

voltage

t_p≤ 0.5 µs, D < 0.001

Power dissipation

P_tot

T_c= 25 °C

549

275

T_c= 100 °C

Table 3

Characteristic values

Symbol Note or test condition

Parameter

Values

Typ.

1.7

Unit

Min.

Max.

Collector-emitter

saturation voltage

V_CEsatI_C= 75 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25 °C

2.15

T_vj= 175 °C

(table continues...)

Datasheet

Revision 1.10

2023-01-20

1 234 5 6 7...17

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