Datasheet > IFS75B12N3E4B31BOSA1

IFS75B12N3E4B31BOSA1

更新时间： 2024-11-12 19:46:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
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8页	516K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-34

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IFS75B12N3E4B31BOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X34	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	36 weeks
风险等级：	5.6	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE, CURRENT SENSING RESISTOR AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X34
元件数量：	6	端子数量：	34
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	570 ns
标称接通时间 (ton)：	185 ns	Base Number Matches：	1

IFS75B12N3E4B31BOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

IFS75B12N3E4_B31

MIPAQ™baseꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4,ꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiodeꢀundꢀStrommesswiderstandꢀ

MIPAQ™baseꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4,ꢀemitterꢀcontrolledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀcurrentꢀsenseꢀshuntꢀ

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_{C nom}

I_CRM

P_tot

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

T_C= 95°C, T_vj= 175°C

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

150

385

+/-20

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gesamt-Verlustleistung

T_C= 25°C, T_vj= 175°C

Totalꢀpowerꢀdissipation

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 75 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,85 2,15

2,10

2,15

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 2,40 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,2

5,8

0,57

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

4,30

0,16

ꢀ

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

100 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,13

0,15

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,02

0,03

0,035

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,33

0,42

0,44

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,06

0,11

0,13

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 600 V, L_S= 25 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 2500 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 2,2 Ω

T_vj= 25°C

4,70

7,20

8,00

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 600 V, L_S= 25 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3100 V/µs (T_vj=150°C) T_vj= 125°C

R_Goff= 2,2 Ω

T_vj= 25°C

4,70

7,70

8,40

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

300

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

ꢀ

0,39 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,195

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

preparedꢀby:ꢀCM

approvedꢀby:ꢀMS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-06

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IFS75B12N3E4B39BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IFS75B12N3T4_B31	INFINEON	获取价格	Technische Information / technical information
IFSC-0806AZ	VISHAY	获取价格	SMD Magnetics Packaging Methods
IFSC-0806AZ-01	VISHAY	获取价格	Low Profile, High Current Inductors
IFSC0806AZER1R5M01	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 1.5uH, 20%, 1 Element, SMD, 0806, CHIP, 0806, ROHS COMPLIANT
IFSC0806AZER220M01	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 22uH, 20%, 1 Element, SMD, 0806, CHIP, 0806, ROHS COMPLIANT
IFSC0806AZER2R2M01	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 2.2uH, 20%, 1 Element, SMD, 0806, CHIP, 0806, ROHS COMPLIANT
IFSC0806AZER3R3M01	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 3.3uH, 20%, 1 Element, SMD, 0806, CHIP, 0806, ROHS COMPLIANT
IFSC0806AZER4R7M01	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 4.7uH, 20%, 1 Element, SMD, 0806, CHIP, 0806, ROHS COMPLIANT
IFSC0806AZER6R8M01	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 6.8uH, 20%, 1 Element, SMD, 0806, CHIP, 0806, ROHS COMPLIANT

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