是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFN |
包装说明: | QCCJ, LDCC84,1.2SQ | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.3 |
HTS代码: | 8542.31.00.01 | 风险等级: | 5.57 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | CACHE COHERENCY |
地址总线宽度: | 32 | 位大小: | 32 |
边界扫描: | NO | 最大时钟频率: | 50 MHz |
外部数据总线宽度: | 32 | 格式: | FLOATING POINT |
集成缓存: | NO | JESD-30 代码: | S-PQCC-J84 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 29.083 mm |
低功率模式: | YES | 湿度敏感等级: | 1 |
DMA 通道数量: | 外部中断装置数量: | 6 | |
串行 I/O 数: | 端子数量: | 84 | |
片上数据RAM宽度: | 最高工作温度: | 70 °C | |
最低工作温度: | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC84,1.2SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | RAM(字数): | 0 |
座面最大高度: | 4.57 mm | 速度: | 50 MHz |
子类别: | Microprocessors | 最大压摆率: | 825 mA |
最大供电电压: | 5.25 V | 最小供电电压: | 4.75 V |
标称供电电压: | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 29.083 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROPROCESSOR, RISC | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT79R3081E-50MJ8 | IDT |
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RISC Microprocessor, 32-Bit, 50MHz, CMOS, PQCC84, MQUAD-84 | |
IDT79R3081E-50MJB | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79R3081E-50MJM | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79R3081E-50PF | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79R3081E-50PFB | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79R3081E-50PFM | IDT |
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RISController with FPA | |
IDT79R3081L20GB | ETC |
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Microprocessor | |
IDT79R3081L20GM | ETC |
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Microprocessor | |
IDT79R3081L20MJ | ETC |
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Microprocessor | |
IDT79R3081L20MJB | ETC |
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Microprocessor |