是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFN |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.3 |
HTS代码: | 8542.31.00.01 | 风险等级: | 5.82 |
其他特性: | 5 PIPELINE STAGES; CACHE COHERENCY SUPPORT; 35 VUPS AND 64000 DHRYSTONES AND 11 MFLOPS LINPACK | 地址总线宽度: | 32 |
位大小: | 32 | 边界扫描: | NO |
最大时钟频率: | 80 MHz | 外部数据总线宽度: | 32 |
格式: | FLOATING POINT | 集成缓存: | NO |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J84 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 29.083 mm | 低功率模式: | YES |
DMA 通道数量: | 外部中断装置数量: | 6 | |
串行 I/O 数: | 端子数量: | 84 | |
片上数据RAM宽度: | 最高工作温度: | 85 °C | |
最低工作温度: | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | RAM(字数): | 0 |
座面最大高度: | 4.57 mm | 速度: | 40 MHz |
最大压摆率: | 750 mA | 最大供电电压: | 3.465 V |
最小供电电压: | 3.135 V | 标称供电电压: | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 29.083 mm | uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROPROCESSOR, RISC |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT79R3081LE20GB | ETC |
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Microprocessor | |
IDT79R3081LE20GM | ETC |
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Microprocessor | |
IDT79R3081LE20MJ | ETC |
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Microprocessor | |
IDT79R3081LE-20MJ | IDT |
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RISC Microprocessor, 32-Bit, 20MHz, CMOS, PQCC84, MQUAD-84 | |
IDT79R3081LE20MJB | ETC |
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Microprocessor | |
IDT79R3081LE20MJM | ETC |
获取价格 |
Microprocessor | |
IDT79R3081LE25GB | ETC |
获取价格 |
Microprocessor | |
IDT79R3081LE25GM | ETC |
获取价格 |
Microprocessor | |
IDT79R3081LE25MJ | ETC |
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Microprocessor | |
IDT79R3081LE-25MJ | IDT |
获取价格 |
RISC Microprocessor, 32-Bit, 25MHz, CMOS, PQCC84, MQUAD-84 |