是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TSSOP |
包装说明: | TSSOP, TSSOP56,.3,20 | 针数: | 56 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.34 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 33.3 MHz | 周期时间: | 30 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 9216 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 56 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX9 | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP56,.3,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 6.1 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V82L20PAGI | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT72V82L20PAI | IDT |
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暂无描述 | |
IDT72V83 | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 512 x 9, DUAL 1,024 x 9 DUAL 2,048 x 9, DUAL 4,0 | |
IDT72V831 | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ | |
IDT72V831L10PF | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ | |
IDT72V831L10PF8 | IDT |
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FIFO, 2KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V831L10PFG | IDT |
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Bi-Directional FIFO, 2KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, GREEN, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V831L10PFG8 | IDT |
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FIFO, 2KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, GREEN, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V831L10TF | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ | |
IDT72V831L10TF9 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, SLIM, TQFP-64 |