是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSSOP |
包装说明: | TSSOP-56 | 针数: | 56 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.51 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 33 MHz | 周期时间: | 30 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 4608 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 56 | 字数: | 512 words |
字数代码: | 512 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512X9 | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP56,.3,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 6.1 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V81L20PAG | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT72V81L20PAGI | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT72V81L20PAI | IDT |
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FIFO, 1KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO56 | |
IDT72V82 | IDT |
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3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 512 x 9, DUAL 1,024 x 9 DUAL 2,048 x 9, DUAL 4,0 | |
IDT72V821 | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ | |
IDT72V821L10PF | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ | |
IDT72V821L10PF8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V821L10PF9 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V821L10TF | IDT |
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3.3 VOLT DUAL CMOS SyncFIFO⑩ | |
IDT72V821L10TFG | IDT |
获取价格 |
Bi-Directional FIFO, 1KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, GREEN, PLASTIC, STQFP-64 |