是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.2 |
最长访问时间: | 10 ns | 周期时间: | 15 ns |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 13.9954 mm | 内存密度: | 9216 bit |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1KX9 | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.55 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 11.4554 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V22115PFGI | IDT |
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FIFO, 1KX9, 10ns, Synchronous, CMOS, PQFP32, GREEN, PLASTIC, TQFP-32 | |
IDT72V221L10 | IDT |
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3.3 VOLT CMOS SyncFIFO⑩ 256 x 9, 512 x 9, 1,0 | |
IDT72V221L10J | IDT |
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3.3 VOLT CMOS SyncFIFO⑩ 256 x 9, 512 x 9, 1,0 | |
IDT72V221L10J8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT72V221L10JG8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT72V221L10JI | IDT |
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3.3 VOLT CMOS SyncFIFO⑩ 256 x 9, 512 x 9, 1,0 | |
IDT72V221L10PF | IDT |
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3.3 VOLT CMOS SyncFIFO⑩ 256 x 9, 512 x 9, 1,0 | |
IDT72V221L10PF8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP32, PLASTIC, TQFP-32 | |
IDT72V221L10PFG8 | IDT |
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FIFO, 1KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP32, GREEN, PLASTIC, TQFP-32 | |
IDT72V221L10PFI | IDT |
获取价格 |
3.3 VOLT CMOS SyncFIFO⑩ 256 x 9, 512 x 9, 1,0 |