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Datasheet > 存储 > FIFO> IDT72275L15TFG
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IDT72275L15TFG

更新时间： 2024-02-10 05:32:38
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
25页 227K
描述
FIFO, 32KX18, 10ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, STQFP-64

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IDT72275L15TFG 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：STQFP-64针数：64
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.9
最长访问时间：10 ns其他特性：RETRANSMIT; AUTO POWER DOWN; EASY EXPANDABLE IN DEPTH AND WIDTH
最大时钟频率 (fCLK)：66.7 MHz周期时间：15 ns
JESD-30 代码：S-PQFP-G64JESD-609代码：e0
长度：10 mm内存密度：589824 bit
内存集成电路类型：OTHER FIFO内存宽度：18
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：64字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX18可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFQFP
封装等效代码：QFP64,.47SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.02 A子类别：FIFOs
最大压摆率：0.09 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：10 mmBase Number Matches：1

IDT72275L15TFG 数据手册

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IDT72275/72285 SUPERSYNC FIFO™  
32,768 x 18, 65,536 x 18  
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS  
Symbol  
Rating  
Commercial  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Min. Typ.  
Max. Unit  
VTERM  
Terminal Voltage  
with respect to GND  
–0.5 to +7  
V
VCC  
Supply Voltage  
4.5  
0
5.0  
0
5.5  
0
V
V
GND  
VIH  
Supply Voltage  
TSTG  
IOUT  
Storage  
Temperature  
–55 to +125  
–50 to +50  
°C  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.0  
—
0
—
—
—
—
0.8  
70  
V
(1)  
VIL  
V
DC Output Current  
mA  
TA  
Operating Temperature  
Commercial  
°C  
NOTE:  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RAT-  
INGS may cause permanent damage to the device. This is a stress rating  
onlyandfunctionaloperationofthedeviceattheseoranyotherconditions  
above those indicated in the operational sections of this specification is  
not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for ex-  
tended periods may affect reliability.  
NOTE:  
1. 1.5V undershoots are allowed for 10ns once per cycle.  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Commercial: VCC = 5V ± 10%, TA = 0°C to +70°C)  
IDT72275  
IDT72285  
Commercial  
tCLK = 10, 15, 20 ns  
Symbol  
Parameter  
Input Leakage Current  
Min.  
Max.  
Unit  
(1)  
ILI  
–1  
–10  
2.4  
—
1
µA  
µA  
V
(2)  
ILO  
Output Leakage Current  
10  
—
VOH  
VOL  
Output Logic “1” Voltage, IOH = –2 mA  
Output Logic “0” Voltage, IOL = 8 mA  
0.4  
V
(3,4,5)  
ICC1  
Active Power Supply Current  
Standby Current  
—
—
90  
20  
mA  
mA  
(3,6)  
ICC2  
NOTES:  
1. Measurements with 0.4 ≤ VIN ≤ VCC.  
2. OE ≥ VIH, 0.4 ≤ VOUT ≤ VCC.  
3. Tested with outputs open (IOUT = 0).  
4. RCLK and WCLK toggle at 20 MHz and data inputs switch at 10 MHz.  
5. Typical ICC1 = 20 + 1.8*fS + 0.02*CL*fS (in mA) with VCC = 5V, tA = 25°C, fS = WCLK frequency = RCLK frequency (in MHz, using TTL levels),  
data switching at fS/2, CL = capacitive load (in pF).  
6. All Inputs = VCC - 0.2V or GND + 0.2V, except RCLK and WCLK, which toggle at 20 MHz.  
CAPACITANCE (TA = +25°C, f = 1.0MHz)  
Symbol  
Parameter(1)  
Conditions  
Max.  
Unit  
(2)  
CIN  
Input  
VIN = 0V  
10  
pF  
Capacitance  
(1,2)  
COUT  
Output  
VOUT = 0V  
10  
pF  
Capacitance  
NOTES:  
1. With output deselected, (OE ≥ VIH).  
2. Characterized values, not currently tested.  
5
12345678...25

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