Datasheet > IDT7206S35TP

IDT7206S35TP

更新时间： 2024-11-05 23:05:11

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		先进先出芯片
页数	文件大小	规格书
14页	151K
描述
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7206S35TP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.59	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	RETRANSMIT	最大时钟频率 (fCLK)：	22.2 MHz
周期时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	147456 bit
内存集成电路类型：	OTHER FIFO	内存宽度：	9
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16KX9
输出特性：	3-STATE	可输出：	NO
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	FIFOs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IDT7206S35TP 数据手册

CMOS ASYNCHRONOUS FIFO

2048 x 9, 4096 x 9,

8192 x 9 and 16384 x 9

IDT7203

IDT7204

IDT7205

IDT7206

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES:

DESCRIPTION:

• First-In/First-Out Dual-Port memory

• 2048 x 9 organization (IDT7203)

• 4096 x 9 organization (IDT7204)

• 8192 x 9 organization (IDT7205)

• 16384 x 9 organization (IDT7206)

• High-speed: 12ns access time

The IDT7203/7204/7205/7206 are dual-port memory buff-

ers with internal pointers that load and empty data on a first-

in/first-out basis. The device uses Full and Empty flags to

prevent data overflow and underflow and expansion logic to

allow for unlimited expansion capability in both word size and

depth.

• Low power consumption

— Active: 770mW (max.)

Data is toggled in and out of the device through the use of

the Write (W) and Read (R) pins.

— Power-down: 44mW (max.)

The devices 9-bit width provides a bit for a control or parity

at the user’s option. It also features a Retransmit (RT) capa-

bilitythatallowsthereadpointertoberesettoitsinitialposition

when RT is pulsed LOW. A Half-Full Flag is available in the

single device and width expansion modes.

The IDT7203/7204/7205/7206 are fabricated using IDT’s

high-speed CMOS technology. They are designed for appli-

cationsrequiringasynchronousandsimultaneousread/writes

in multiprocessing, rate buffering, and other applications.

Military grade product is manufactured in compliance with

the latest revision of MIL-STD-883, Class B.

• Asynchronous and simultaneous read and write

• Fully expandable in both word depth and width

• Pin and functionally compatible with IDT720X family

• Status Flags: Empty, Half-Full, Full

• Retransmit capability

• High-performance CMOS technology

• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

• Standard Military Drawing for #5962-88669 (IDT7203),

5962-89567 (IDT7203), and 5962-89568 (IDT7204) are

listed on this function

• Industrial temperature range (-40^oC to +85^oC) is avail-

able, tested to military electrical specifications

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

DATA INPUTS

(D0 –D8)

WRITE

CONTROL

RAM ARRAY

WRITE

POINTER

READ

POINTER

2048 x 9

4096 x 9

8192 x 9

16384 x 9

THREE-

STATE

BUFFERS

DATA OUTPUTS

(Q0 –Q8)

READ

CONTROL

RESET

LOGIC

FLAG

LOGIC

FL/RT

EXPANSION

LOGIC

XO/HF

2661 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Techology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

DECEMBER 1996

For latest information contact IDT's web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.

1996 Integrated Device Technology, Inc.

DSC-2661/9

5.04

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与IDT7206S35TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7206S35TPB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206S40CB	IDT	获取价格	FIFO, 16KX9, 40ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
IDT7206S40D	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206S40DB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206S40J	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206S40JB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206S40L	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206S40LB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206S40LB8	IDT	获取价格	FIFO, 16KX9, 40ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT7206S40P	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9

与IDT7206S35TP相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT7206S35TP

IDT7206S35TP 技术参数

IDT7206S35TP 数据手册

与IDT7206S35TP相关器件

与IDT7206S35TP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT7206S35TP

IDT7206S35TP 技术参数

IDT7206S35TP 数据手册

与IDT7206S35TP相关器件

与IDT7206S35TP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？