Datasheet > IDT7206L30CB

IDT7206L30CB

更新时间： 2024-01-02 10:02:50

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7206L30CB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.74
最长访问时间：	30 ns	其他特性：	RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)：	25 MHz	周期时间：	40 ns
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	147456 bit	内存集成电路类型：	OTHER FIFO
内存宽度：	9	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX9	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	FIFOs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7206L30D	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206L30DB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206L30DG	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
IDT7206L30DGI	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
IDT7206L30J	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206L30JB	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9
IDT7206L30JG	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
IDT7206L30JGB	IDT	获取价格	暂无描述
IDT7206L30JGI	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
IDT7206L30L	IDT	获取价格	CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9