是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCN, LCC32,.45X.55 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.13 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 30 ns |
其他特性: | RETRANSMIT | 最大时钟频率 (fCLK): | 25 MHz |
周期时间: | 40 ns | JESD-30 代码: | R-XQCC-N32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 147456 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 16KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC32,.45X.55 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度: | 3.048 mm |
最大待机电流: | 0.012 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.15 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 11.4554 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7206L30LBG8 | IDT |
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FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT7206L30LG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7206L30P | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7206L30PB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7206L30PDGB | IDT |
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FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, GREEN, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7206L30PG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7206L30PGI | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7206L30SO | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7206L30SOB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7206L30SOG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO |