是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.07 |
最长访问时间: | 20 ns | 周期时间: | 30 ns |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 36.576 mm | 内存密度: | 36864 bit |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 4KX9 |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度: | 4.699 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7204L20PG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7204L20PGI | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7204L20SO | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7204L20SO8 | ROCHESTER |
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FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, SOIC-28 | |
IDT7204L20SOB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 | |
IDT7204L20SOG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7204L20SOGB | IDT |
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FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, GREEN, PLASTIC, SOIC-28 | |
IDT7204L20TC | IDT |
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FIFO, 4KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, THIN, CERAMIC, DIP- | |
IDT7204L20TCB | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO | |
IDT7204L20TD | IDT |
获取价格 |
CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9 and 16384 x 9 |